電磁屏蔽是以金屬隔離控制電磁波由一個(gè)區(qū)域向另外一個(gè)區(qū)域感應(yīng)或傳播的方法，即用金屬屏蔽材料將電磁干擾源封閉起來，使其外部電磁場強(qiáng)度低于允許值的一種措施。電磁屏蔽的技術(shù)原理主要分以下幾種：

　　1.1靜電屏蔽

　　用金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來，則在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體等量的負(fù)電荷，外側(cè)出現(xiàn)與帶電導(dǎo)體等量的正電荷，因此外側(cè)仍有電場存在。

　　如果將金屬屏蔽體接地，外側(cè)的正電荷將流入大地，外側(cè)將不會(huì)有電場存在，即帶正電導(dǎo)體的電場被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。這種屏蔽需要完善的屏蔽體和良好的接地。

　　1.2交變電場屏蔽

　　交變電場對敏感電路產(chǎn)生耦合電壓，可以在干擾源和敏感電路間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體，并將其接地。

　　交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓大小取決于交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。

　　只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，故屏蔽體的厚度不必過大，而以結(jié)構(gòu)強(qiáng)度為主要考慮因素。

　　1.3交變磁場屏蔽

　　交變磁場屏蔽分為高頻屏蔽和低頻屏蔽。低頻磁場屏蔽是利用高導(dǎo)磁率的材料構(gòu)成磁力線的低磁阻通路，使大部分磁場被封在屏蔽體內(nèi)。屏蔽體的導(dǎo)磁率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。

　　高頻磁場屏蔽是利用高導(dǎo)電率的材料產(chǎn)生渦流的反向磁場來抵消磁場干擾。

　　1.4交變電磁場屏蔽

　　交變電磁場利用屏蔽體在高頻磁場的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場與原磁場抵消而削弱高頻磁場的干擾又因屏蔽體接地而實(shí)現(xiàn)電場屏蔽。這種屏蔽一般采用導(dǎo)電率高的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地而為零電位；屏蔽體的厚度不必過大，而以趨膚深度和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度為主要考慮因素。

　　屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量，屏蔽效能（SE）是指電磁場中同一位置無屏蔽時(shí)的電場強(qiáng)度E0或磁場強(qiáng)度H0與加屏蔽體后該位置的電場強(qiáng)度ES或磁場強(qiáng)度HS之比。它表征屏蔽體對電磁波的衰減程度，常用分貝（dB）表示：

　　屏蔽效能一般用謝昆諾夫公式式中：A為吸收損耗；R為反射損耗；B為多次反射損耗。

　　2.1吸收損耗A

　　吸收損耗A為電磁波在屏蔽金屬時(shí)因衰減或熱損耗而產(chǎn)生：=131.43（3）式中：u為屏蔽材料相對空氣介質(zhì)的導(dǎo)磁系數(shù)；為屏蔽材料相對銅的電導(dǎo)率；f為電磁波頻率（Hz）；d為屏蔽材料厚度（mm）。

　　2.2反射損耗R

　　R是反射損耗，它同入射波的源有關(guān)。

　　式中D為離屏蔽點(diǎn)的距離。

　　2.3多次反射損耗B

　　B為屏蔽體內(nèi)部多次反射損耗：B=10lg （1-2×10 -0.1A cos0.23A+10 -0.2A）（7）當(dāng)A>10dB時(shí)，一般可以不計(jì)多次反射損耗。

　　根據(jù)上述電磁屏蔽理論和屏蔽效能相關(guān)公式，可以得出如下電子教學(xué)儀器電磁屏蔽的基本方法：（1）屏蔽效能與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，距離越大，屏蔽效能越好。